らじかるののーと

　PC Watch記事のIBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表(http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps04.htm)がネタ元。

　ここで書かれている「原理」に関しては半導体部品を扱う仕事に携わる技術者なら周知のことなんだけど、これを実際に原因特定して「証明(実証)」しているところが凄い。

　SRAMに関しては携帯電話や家電では沢山使われているメモリだし、DRAMにいたってはDVDレコーダーや携帯、PCのメインメモリ、それこそいたるところで使われている枯れたデバイス。
　DRAMの不良解析で「不良が発生するまでの期間は、最悪条件で96日だった。実際のデータでは平均すると144日」ってのはかなり具体的。(実際、かなりのサンプルを5ヶ月以上試験したことになる。)

　できれば、どこのベンダーのRAMが不良を起こしたのかをはっきりして欲しかった。業界関係ならめぼしはつくだろうが...。
(おバカな素人がそのメーカーの不買運動や買い控え、結果としてスポット価格がふらつく様なことになるよりは公表しないほうがいいのかも。)

　実は、ちょっと前に仕事で使用したサンプルチップに不良ロット(ばらつき)があり、それの検証にさじを投げてしまった(他社製品に切替えた)ばかりなので、IBMの解析技術の高さに平伏するばかり。

　関連リンク
・国際信頼性物理シンポジウム
・PC Watch記事 ケータイ電話用フラッシュメモリの不良をNokiaが解析
・PC Watch記事 記事半導体の発展を支えたIRPSの44年～多数の不良要因発見の歴史