先週の続きで『半導体の物理』です。

今日のお題は中性不純物散乱。

例えばドナー準位からCBに電子が熱励起された状態を考えると、低温状態にすると、電子は熱励起できなくなって、ドナー準位に落ち込む。
この時イオン化していた原子が中性になって散乱中心として働くというわけです。

最終的には移動度が、温度にも電子の有効質量にも依存しないということが導き出されます。

音響フォノン散乱や、イオン化不純物散乱の時には、移動度が温度依存性を示すのに、不思議ですね～。


そういえば本日のゼミでＭ１の学生が、「Si、Ge・・・」という記述を
「エスアイ、ジーイー・・・」
って読んじゃった・・・。

これにはさすがの先生も笑うしかなかったみたい。


おかげでとても和やかなゼミになりました。　ヾ(@~▽~@)ノ