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　STマイクロエレクトロニクス（ST）は、卓越した電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFETの新製品SCT20N120を発表した。同製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。SCT20N120は量産中で、単価は1,000個購入時に約8.50ドル。

　STは、堅牢かつ高効率なSiCパワー半導体の開発をリードする数少ない企業の一社。1200V耐圧パワーMOSFETの新製品であるSCT20N120は、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗（RDS（ON））を実現。

　また、ターンオフ損失（Eoff）およびゲート電荷（Qg）が非常に安定しているため、全温度範囲で一貫して高いスイッチング性能が維持される。これにより、導通損失とスイッチング損失の低減および超低リーク電流につながり、放熱設計が簡略化されるとともに、高い信頼性も確保される。

　さらに、STのSiCパワーMOSFETは低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現。そのため、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化および部材コストの低減が可能になる。

　また、優れた高温度特性を持つSCT20N120は、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化できるほか、熱効率の高いST独自のHiP247（TM）パッケージを採用しているため、最大200℃まで信頼性のある動作が可能であると同時に、業界標準のTO-247パワー・パッケージと外形の互換性を持つ。

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