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2018.12.31
カテゴリ：1陸技
オペアンプの風変わりな問題
 GB積（Gain Band width product、利得帯域幅積）一定を利用 電圧利得は20logX⇒20ｄBで真数10倍、40ｄBで100倍であるから、 60ｄBは1000倍。34ｄBは(40-6)dBで50倍 50・ｆH＝1000・1.5K（Hz） ｆH＝30ｋHz 正攻法でも値は一緒ですが簡単に。 高周波ｆ＝遮断周波数ｆｈの時 高周波増幅値A＝Ao/（1+J）は絶対値でA＝Ao/√2でまさに-3ﾃﾞｼﾍﾞﾙですヽ(*´∀｀)ノここが大事！ α＝ｆ/ｆｈとおくとA=Ao/√（1+α＾2） さらにX＝√（1+α＾2）とおく 上で出した真値で50倍＝1000倍/X、 よってX＝20 1+a^2=400 a=20でｆ＝20ｆｈ  テブナンの定理です！ 開放してる時はIoは流れてませんが、文脈に沿ってIo=Vab/(Rab+Ro) でイは5 並列接続で電圧は全て同じですから Vab=VR2+V2 ウは８ 開放してキルヒホッフで考えると、抵抗直列、電源逆直列で VR2=R2・（V1-V2)/（R1+R2) 一方で開放してる端子abから見ると並列のRab=R1R2/(R1+R2) 和分の積でエは４ Io＝（R2・(V1-V2)/(R1+R2)+V2）/（（R1・R2/（R1+R2)+Ro) ＝（V1R2+V2R1)/（R1R2+R1R0+R2R0)←オは9 ア～エの流れでオで9以外は無理(´▽｀)、時間を省きましょう 「テブナンの定理」見立ての計算は無意識で多用してます。 端子abの左側は不明でも内部抵抗Roで電圧VoならRを繋ぎ Io=Vo/(Ro+R)です。 「ノートンの定理」は電流とコンダクタンスGo,Gで Vo=Io/（Go+G) ↑電流源複数で「ミルマンの定理」 ２９年は1月7月と連続でダイオードでした。  アは2、3ですが短絡状態ではないので2 イはアが参考に出来て-4Vで各-2Vで短絡状態で8 ウは0以上で短絡、-2V以下も短絡で1 エ6、オ9は29年1月と一緒  定番の単位です V＝W/AでW＝P電力でJ/ｔの事。W（J）と区別が大事！ 電力P（W）、仕事W（J）。 V＝W/Aは単位 V＝W(J）/(t(S)・I（A）） オの電力はJ/sの10 コンダクタンスは抵抗の逆数で単位はジーメンスでG(S） アは6 A/V インダクタンスはヘンリー（H）でN・Φ（Wb)＝L・I イは9 Wb/A 静電容量 C 、単位はファラド [F] Q＝CV：1Vで1 クーロンの電荷、Qの単位がC ウは2 C/V 磁束密度Bテスラ（T） Wb/ｍ＾2 エは4 クーロンとか電界は電位に関係し 磁界は電流に関係する 電流ｘ時間＝電荷量 全ては1アマレベルです お気に入りの記事を「いいね！」で応援しよう
Last updated
2019.01.10 18:12:49
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