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◆セミナー名:IGBTの最新技術動向と次世代パワーデバイスの展望詳細・申込はHPから
◆セミナー概要:【セミナー番号】100320 【講師】HPをご覧ください。 【会場】TIME24ビル 2F 会議室B(東京・江東区) 【日時】平成22年3月30日(火) 12:30~16:30 【定員】20名 【聴講料】1名につき49,980円(税込、資料付き)
◆講座の内容:【講座趣旨】 本講習会では、最近特に注目を集めているIGBT、パワーMOSFETについて、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に解説する。IGBTはなぜオン電圧が低いのか?なぜスイッチング損失が少ないのか?そしてなぜ壊れにくいのか?など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。 現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか? IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か?またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか?興味あるテーマを議論したい。
【プログラム】 1.パワーデバイスの現状 2.パワーデバイスの歴史 3.IGBTの動作原理 4.IGBTの適用方法 5.IGBT最新技術とその応用 6.SiCパワーデバイスの開発 7.GaNパワーデバイスの開発 8.まとめ (質疑応答)
キーワード:シリコン(Si),シリコンカーバイド(SiC),ガリウムナイトライド(GaN),パワーモジュール,講習会 お気に入りの記事を「いいね!」で応援しよう
最終更新日
2010.02.10 00:48:30
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