Mashaの中国生活日記。

問７
半導体中のキャリアに電界を作用させるとキャリアは電解による力を受けてランダム運動しながらも、その方向に移動する。このようにドリフトしながら移動するキャリアのドリフト速度がそれほど大きくない場合、電界に比例しその比例定数を(1)移動度という。いま、正孔密度をｐ、正孔の電荷量をｑ、正孔の移動度を改めてμｐとおき、電界をＥとすれば、ドリフト正孔電流密度Ｊｐは(2)ｑｐμｐＥとなる。動揺に電子密度をｎ、電子の移動度をμｎ、電子の電荷量を－ｑとすれば、ドリフト電流密度Ｊｎは(3)ｑｎμｎＥとなる。電子は電界作用に対して正孔と逆方向に移動するが、負の電荷であるため、電流としての向きは正孔と同じである。電子と正孔によるドリフト電流密度Ｊは(4)ｑ（μｎｎ＋μｐＰ）Ｅとなる。これより、導電率γは、(5)ｑ（μｎｎ＋μｐｐ）となる。

問８
図（補足手書）１のトランジスタ回路においてｖｉｎは正弦波交流入力信号電圧、ｖ０１、ｖ０２は正弦波出力信号電圧。いま、ベース直流電流ＩＢが抵抗ＲＡを流れる直流電流ＩＡに比較し、十分に小さいと仮定する。

ベースの直流電圧は、ＶＢ＝(1)３．２Ｖとなる。さらにトランジスタのベースエミッタ間の直流電圧をＶＢＥ＝０．７Ｖとすると、エミッタ潮流電流はＩＥ＝(2)０．５ｍＡと求められる。

ここで、トランジスタの交流等価回路が図（補足手書）２で表され、また、すべてのコンデンサを制限は交流信号の周波数において短絡と見なすとｖ０１を出力とした時の電圧増幅度はｖ０１／ｖｉｎ≒(3)１．０倍である。さらに出力電圧をｖ０２とするときの電圧増幅度はｖ０２／ｖｉｎ≒(4)－１．０倍である。したがってｖ０１とｖ０２の位相差は(5)１８０°である。

以上です。補足を、こちらにて。