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Mashaの中国生活日記。

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Masha1977

Masha1977

2007/09/10
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カテゴリ:電験_理論


問7
半導体中のキャリアに電界を作用させるとキャリアは電解による力を受けてランダム運動しながらも、その方向に移動する。このようにドリフトしながら移動するキャリアのドリフト速度がそれほど大きくない場合、電界に比例しその比例定数を(1)移動度という。いま、正孔密度をp、正孔の電荷量をq、正孔の移動度を改めてμとおき、電界をEとすれば、ドリフト正孔電流密度Jpは(2)qpμEとなる。動揺に電子密度をn、電子の移動度をμ、電子の電荷量を-qとすれば、ドリフト電流密度Jnは(3)qnμEとなる。電子は電界作用に対して正孔と逆方向に移動するが、負の電荷であるため、電流としての向きは正孔と同じである。電子と正孔によるドリフト電流密度Jは(4)q(μn+μP)Eとなる。これより、導電率γは、(5)q(μn+μp)となる。

問8
図(補足手書)1のトランジスタ回路においてvinは正弦波交流入力信号電圧、v01、v02は正弦波出力信号電圧。いま、ベース直流電流Iが抵抗Rを流れる直流電流Iに比較し、十分に小さいと仮定する。

ベースの直流電圧は、V(1)3.2Vとなる。さらにトランジスタのベースエミッタ間の直流電圧をVBE=0.7Vとすると、エミッタ潮流電流はI(2)0.5mAと求められる。

ここで、トランジスタの交流等価回路が図(補足手書)2で表され、また、すべてのコンデンサを制限は交流信号の周波数において短絡と見なすとv01を出力とした時の電圧増幅度はv01/vin(3)1.0倍である。さらに出力電圧をv02とするときの電圧増幅度はv02/vin(4)-1.0倍である。したがってv01とv02の位相差は(5)180°である。

以上です。補足を、こちらにて。





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Last updated  2007/09/10 02:28:06 PM



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